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SOI-WAFER 2018-04-09T13:54:11+00:00

SOI-Wafer

Die Active Business Company GmbH liefert SOI (Silicon on Insulator)-Wafer unterschiedlichster Spezifikationen. Dazu gehören Thick-Film-SOI mit einem Device Layer >2 µm als auch Thin-Film-SOI mit einem Device Layer <2 µm.

Thick-Film-SOI

Bei Thick-Film-SOI-Wafern werden zwei oxidierte Si-Wafer gebondet und anschließend gemäß der erforderlichen Anforderungen poliert. Typischerweise liegt dabei der Durchmesser dieser SOI-Wafer zwischen 3“ und 8“. Der Device-Wafer (DW) besitzt dabei üblicherweise eine Dicke zwischen 2 µm bis 150 µm, der Handle-Wafer (HW) liegt zwischen 300 µm und 725 µm. Das dazwischen angebrachte Oxid (Buried Oxide) besitzt meist eine Dicke zwischen 0,5 µm und 10 µm.

Thin-Film-SOI

Bei Thin-Film-SOI-Wafern kommt ein Ionentransplantationsverfahren (z.B. SIMOX) zum Einsatz. Typischerweise liegt dabei der Durchmesser dieser SOI-Wafer zwischen 6“ und 8“. Der Device-Wafer (DW) besitzt dabei üblicherweise eine Dicke zwischen 0,05 µm bis 2 µm, der Handle-Wafer (HW) liegt zwischen 300 µm und 725 µm, wobei das dazwischen liegende Oxid meist eine Dicke zwischen 0,05 µm und 0,4 µm aufweist.

Gerne liefern wir auch SOI-Wafer nach Kundenwunsch. Bei Fragen stehen wir Ihnen gerne zur Verfügung. Aktuelle Angebote können Sie auch über unser Anfrageformular anfordern.

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